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本发明提供一种TSV导电结构、半导体结构及制备方法，TSV导电结构包括衬底、TSV导电柱及TSV导电块，TSV导电柱与TSV导电块为一体成型，TSV导电柱的一端显露于衬底，TSV导电柱的另一端与TSV导电块相接，且TSV导电块的横截面积大于TSV导电柱的横截面积，以及衬底显露TSV导电块，从而可在进行TSV导电结构的导电引出时，通过TSV导电块增大接触面积，以有效降低由对准偏差所带来的接触不良的风险概率，以及可有效降低互连失效的风险概率，TSV导电结构的深度均一性容忍度较高，应用范围较广，且制备
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397445 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011289012.2 (22)申请日 2020.11.17 (71)申请人 联合微电子中心有限责任公司
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