背照式传感器及制造传感器的方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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背照式传感器及制造传感器的方法.pdf

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本发明揭示一种用于电子或短波长光的图像传感器，其包含半导体薄膜、在所述半导体薄膜的表面上形成的电路元件及所述半导体薄膜的另一表面上的纯硼层。所述电路元件由包括耐火金属的金属互连件连接。抗反射或保护层可在所述纯硼层的顶部上形成。此图像传感器即使以高通量连续使用多年也具有高效率及良好稳定性。所述图像传感器可使用CCD(电荷耦合装置)或CMOS(互补金属氧化物半导体)技术来制造。所述图像传感器可为二维区域传感器或一维阵列传感器。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112424906 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 201980041049.2 约翰 ·费尔登　戴维 ·L ·布朗　