基于单壁碳纳米管薄膜的异质结光电探测器的制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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基于单壁碳纳米管薄膜的异质结光电探测器的制备方法.pdf

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本发明涉及光电探测器领域，具体为一种基于单壁碳纳米管薄膜的异质结光电探测器的制备方法。首先利用浮动催化剂化学气相沉积法制备出高性能、柔性单壁碳纳米管薄膜，将沉积于微孔滤膜上的单壁碳纳米管薄膜裁剪成合适尺寸；将其置于预先开设窗口的硅基底上表面，使单壁碳纳米管薄膜与硅基底紧密接触，并移去滤膜后，放置于空气环境下热处理，在窗口处制备一层数纳米厚的诱导氧化层；然后制备上电极(银胶)和下电极(铟镓合金)即得所述光电探测器。本发明异质结光电探测器结构简单，制备过程便捷，所构建的光电探测器具有优异的光电探测性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420933 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011221007.8 (22)申请日 2020.11.05 (71)申请人中国科学院金属研究所