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本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。将缓冲层包括第一子层与第二子层，第一子层起到过渡作用。层叠在第一子层上的第二子层包括有交替层叠的第二GaN层和BGaN层，一方面缓解晶格失配，并为后续外延结构的生长提供一个良好的基础，而BGaN层由于B原子体积较小，可以插入或填充位错造成的空白位置，减少缓冲层内部所存在的缺陷，且B原子可以起到一定的定位作用，避免位错继续移动至n型GaN层与多量子阱层中，有效提高最终得到的发光二极管外延片的晶体质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397622 B (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 202110072179.1 H01L 33/32 (2010.01)
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