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本发明涉及一种P型钝化接触太阳能电池的制作方法;其特征在于:包括以下步骤:表面织构步骤,高温扩散步骤,刻蚀及抛光步骤,背面薄膜制备步骤,正面去除介质步骤,正面二氧化硅制备步骤,正背面制备步骤,正背面制备步骤具体包括:正面氮化硅制备步骤,采用原子层沉积设备在P型硅片的正面制备氮化硅层;背面氮化硅制备步骤,采用原子层沉积设备在P型硅片的背面制备氮化硅层;电极制备步骤,通过丝网印刷机分别制备正面电极和背面电极,收集电流,经过烧结后得到成品。解决了现有方案造成的产生严重的寄生吸收效应,不能充分利用太阳光
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397613 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011268541.4 H01L 31/0236 (2006.01)
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