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一种多晶半导体层的制造方法包含形成多个间隙壁在介电层上、利用间隙壁做为蚀刻罩幕蚀刻介电层,以形成凹槽在介电层内、沉积非晶半导体层在间隙壁及介电层上,以填充凹槽,以及再结晶非晶半导体层,以形成多晶半导体层。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397373 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20201
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