基于非晶氧化物半导体浮栅晶体管的器件及制作方法.pdfVIP

下载本文档

12
0
约9.43千字
约 10页
2023-05-29 发布于四川
举报
版权申诉

基于非晶氧化物半导体浮栅晶体管的器件及制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开涉及一种基于非晶氧化物半导体浮栅晶体管的神经形态器件的制作方法，该晶体管可以包括源漏电极、沟道、叠层栅介质和栅电极，其中叠层栅介质为三层结构，包括电荷隧穿层、电荷存储层和电荷阻挡层。通过栅电极控制电荷存储层中电荷量的多少来控制源漏电极之间沟道层的电导，也就是调制突触器件的权重。进而将器件集成为交叉阵列结构，加速神经形态计算中的矩阵运算，以降低功耗。该制作方法与目前的大规模集成电路工艺兼容，适合大规模生产。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420521 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011233772.1 (22)申请日 2020.11.06 (71)申请人南京大学地址 21