一种晶圆环切方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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本申请公开了一种晶圆环切方法，涉及半导体制造领域。该晶圆环切方法包括获取晶圆在Taiko减薄前的第一厚度和在Taiko减薄后的第二厚度；根据晶圆的第一厚度和第二厚度确定晶圆对应的实际断差；根据实际断差和环切作业要求，选取与实际断差对应的晶圆适配性最佳的垫片，并建立晶圆断差与垫片的映射关系；获取待环切晶圆的实际断差，根据晶圆断差与垫片的映射关系，确定待环切晶圆对应的垫片；利用确定出的待环切晶圆对应的垫片对待环切晶圆进行环切；解决了目前在对Taiko减薄晶圆进行环切后，晶圆容易出现裂纹或残屑的问题；

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420492 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011342000.1 (22)申请日 2020.11.25 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司