光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法.pdf

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本发明实施涉及光掩模结构、其制造方法及使用其的半导体制造方法。本发明实施例提供一种用于制造光掩模的方法。方法包含若干操作。接收具有芯片区域及相邻于芯片区域的外围区域的光掩模衬底。在外围区域中通过发射第一辐射照射来形成参考图案且通过发射多个第二辐射照射来形成第一β图案。沿第一方向发射多个第二辐射照射。从俯视视角看，比较沿第一方向的第一β图案的边界的粗糙度与沿第一方向的参考图案的边界的粗糙度。如果比较的结果超过公差，那么调整多个第二辐射照射的对准，或形成光掩模。本发明实施例还提供一种光掩模结构及一种

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112415849 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20201