套刻对准标记和套刻误差测量方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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套刻对准标记和套刻误差测量方法.pdf

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本发明实施例公开了一种套刻对准标记和套刻误差测量方法，通过设置在待测晶片的厚度方向上，前层标记图案沿第一方向延伸的第一侧边的至少部分、第二侧边的至少部分和当层标记图案暴露，前层标记图案的第一侧边与当层标记图案之间，以及前层标记图案的第二侧边与当层标记图案之间包括刻蚀区，该刻蚀区内不包括当层的结构，而可以包括前层的结构，因此进行电子束扫描时，当层标记图案和前层标记图案相当于在一个平面内，进而使得电子束扫描得到的SEM图像可以清楚的显示出当层标记图案和前层标记图案的边界，进而可以根据第一侧边与当层标

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420674 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 202011302974.7 H01L 21/66 (2006.01)