晶圆键合结构及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.37万字
约 14页
2023-05-29 发布于四川
举报
版权申诉

晶圆键合结构及其制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提供了一种晶圆键合结构及其制作方法，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；将第一晶圆和第二晶圆键合；第一晶圆和第二晶圆中具有开孔，开孔贯穿第二晶圆和部分厚度的第一介质层且暴露出第一金属层；形成焊盘，焊盘位于开孔的底部的隔离层上且与第一金属层电连接。本发明将焊盘形成在通至第一晶圆(下晶圆)的开孔中，焊盘制作在第一晶圆(下晶圆)上，如此一来，焊盘与第一晶圆中待引出的第一金属层之间的引线(金属连线)距离缩短，焊盘与第一金属层之间的层间的电容也变小，因此，晶圆键合结构中焊盘(pad)的寄生电容变得更小。本

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397467 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011269556.2 (22)申请日 2020.11.13 (71)申请人武汉新芯集成电路制造有限公司