一种氮化镓衬底及半导体复合衬底.pdfVIP

下载本文档

2
0
约2.24万字
约 21页
2023-05-29 发布于四川
举报
版权申诉

一种氮化镓衬底及半导体复合衬底.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明提出了一种氮化镓衬底，所述氮化镓衬底具有直径不小于50mm的表面，在该氮化镓衬底表面取9个直径1mm范围内的圆形区域，以多光子激发光致发光图谱对所述9个圆形区计算穿透位错密度与穿透位错倾斜角，该9个圆形区域中的穿透位错密度与穿透位错倾斜角的正切值的积的平均值不大于1E6cm‑2，该9个圆形区域内穿透位错密度与穿透位错倾斜角的正切值的积的最大值与最小值的差值除以平均值的商不大于50%。本发明能降低氮化镓衬底的应力，使其在支撑其它外延层时，具有抑制开裂和碎片的效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397571 B (45)授权公告日 2021.04.23 (21)申请号 202110061226.2 H01L 21/66 (2006.01)