一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法.pdf

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本发明属于功率半导体器件领域，具体地说涉及一种碳化硅门极可关断晶闸管及其制作方法，所述晶闸管包括阳极、阴极和栅极三个电极，还包括P‑N‑P‑N四层结构，其中，所述P‑N‑P‑N四层结构包括N型碳化硅衬底、N型碳化硅缓冲层、P型碳化硅缓冲层、P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、N+门极欧姆接触区以及P+碳化硅阳极区，其中，P‑碳化硅长基区、N型碳化硅短基区、P+碳化硅阳极区呈凹槽状。本发明所提出的碳化硅门极可关断晶闸管一方面增大了P+碳化硅阳极区的面积，另一方面增大了N型碳化硅短基区与P‑碳化硅长

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420815 B (45)授权公告日 2021.09.24 (21)申请号 202011301550.9 H01L 29/10 (2006.01)