一种消除负阻效应的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种消除负阻效应的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管.pdf

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本发明涉及一种消除负阻效应的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，在N型漂移区上设有氧化层沟槽、第二氧化层埋层及第三氧化层埋层，所述氧化层沟槽位于N型缓冲层与阳极N型重掺杂区间，所述第二氧化层埋层及第三氧化层埋层沿所述晶体管横向设置于阳极N型重掺杂区的下方，在氧化层沟槽与第二氧化层埋层之间设有第一P型埋层。并且，所述第一P型埋层始自所述氧化层沟槽的边界且向所述晶体管边界延伸并至少到达与所述氧化层沟槽相邻的第二氧化层埋层的一端，第二氧化层埋层的另一端与晶体管边界之间留有N型漂移区的一部分，在氧化层沟槽内设

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420824 B (45)授权公告日 2022.08.19 (21)申请号 202011448442.4 US 2011057230 A1,2011.03.10 (22)申