碳化硅器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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碳化硅器件及其制备方法.pdf

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本申请公开了碳化硅器件及其制备方法。碳化硅器件包括：碳化硅衬底；设置于碳化硅衬底表面的外延层；设置于外延层内的P型源区浮动结；设置于外延层内，并与P型源区浮动结在纵向上处于相同高度的P型终端区浮动结；嵌入外延层上表面的终端区；其中，P型终端区浮动结包括在横向上设置的至少三个不连续的P型结构，并且相邻P型结构之间的间距中，至少包括第一间距和与第一间距不等的第二间距。由于P型终端区浮动结中包括在横向上设置的至少三个不连续的P型结构，相邻P型结构之间的间距中至少包括第一间距和与所述第一间距不等的第二间

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397566 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20191