模式转换器及其制造方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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模式转换器及其制造方法.pdf

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本公开提供一种模式转换器，包括：硅衬底、位于硅衬底一侧的二氧化硅层，以及位于二氧化硅层远离硅衬底的一侧且同层设置的硅层、第一介质模块层和第二介质模块层，其中，第一介质模块层部分嵌入硅层，第二介质模块层嵌入硅层，第一介质模块层在硅衬底上投影呈镜像对称且共用上底的两个直角梯形，第二介质模块层在硅衬底上投影呈直角梯形。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112394450 B (45)授权公告日 2021.09.03 (21)申请号 202011382754.X (56)对比文件 (22)申请日 2020.12.01