高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约1.19万字
约 13页
2023-05-29 发布于四川
举报
版权申诉

高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种高介电常数金属栅MOS晶体管的制造方法，栅极的形成步骤包括：步骤一、形成包含有高介电常数层的栅介质层；步骤二、在高介电常数层表面形成第一盖帽层；步骤三、在氨气气氛下进行金属后退火以对高介电常数层进行氮化处理；步骤四、将第一盖帽层去除，之后再形成第二盖帽层，第二盖帽未受金属后退火影响而为非晶结构。本发明能降低器件的阈值电压的失配，特别是能降低FinFET的阈值电压的失配。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420502 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011294203.8 (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司