端面耦合器及其制作方法、端面耦合方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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端面耦合器及其制作方法、端面耦合方法.pdf

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本发明公开了一种端面耦合器及其制作方法，该制作方法包括：提供一光子芯片，在光子芯片的耦合端的上表面具有波导；在耦合端的上表面形成一层覆盖波导并与波导键合的衬底；在衬底表面涂布一层光刻胶层；通过分步曝光和显影，将光刻胶层制作成楔形结构，楔形结构的正投影至少与波导部分重叠，且越远离波导的端面，楔形结构的截面积越大；通过对衬底进行刻蚀，以在衬底上形成与楔形结构对应的模斑转换器。由于模斑转换器的制作是在光子芯片的波导完成后进行，因此属于后道工艺；通过采用分步曝光的方法制作，端面耦合器制作过程更快速；通过

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112394446 B (45)授权公告日 2023.04.14 (21)申请号 201910742763.6 审查员倪佳敏 (22)申请日 2019.08.13