垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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垂直功率晶体管和用于制造垂直功率晶体管的方法.pdf

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本发明涉及一种具有半导体衬底(2)的垂直功率晶体管(1)，所述半导体衬底包括第一半导体材料并且具有至少一个外延层(3)，其中，沟槽结构从所述半导体衬底(2)的表面延伸到所述至少一个外延层(3)的内部中，其特征在于，所述沟槽结构具有第一区域(13)，所述第一区域分别从沟槽底部延伸至相应沟槽的确定高度，其中，所述第一区域(13)包括第一部分区域，所述第一部分区域分别具有第一深度(t1)和第一宽度(w1)，其中，所述第一部分区域基本上垂直于所述半导体衬底(2)的表面延伸，其中，所述第一区域(13)包括

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112424942 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 201980047452.6 (74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司