用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法.pdf

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本申请涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件及监测方法。其中器件包括由下至上依次层叠的衬底层、绝缘层和测试结构层，所述测试结构层设于所述绝缘层上，用于在热低温退火腔工作时发生硅化镍反应，所述测试结构层包括：多晶硅层，所述多晶硅层覆盖在所述绝缘层上，所述多晶硅层具有稳定的方块电阻；含镍金属层，所述含镍金属层覆盖在所述多晶硅层上；氮化钛层，所述氮化钛层覆盖在所述含镍金属层，所述氮化钛层具有稳定的方块电阻。方法包括使用上述用于监测热低温退火腔热稳定性的半导体器件，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420673 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011295972.X (22)申请日 2020.11.18 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司