一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法.pdf

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本发明提供一种基于TSV的MEMS传感器垂直电学互连结构的制备方法，包括：S1，在SOI晶圆的顶硅层(1)制作欧姆接触区(7)；S2，采用刻蚀出凹槽的玻璃片(8)与顶硅层(1)阳极键合；S3，将欧姆接触区(7)作为刻蚀阻挡层，并在SOI晶圆的背硅层(2)上刻蚀通孔；S4，在通孔内壁溅射二氧化硅层(5)；S5，采用皮秒或飞秒激光刻蚀通孔底部的二氧化硅；S6，在二氧化硅层(5)内壁溅射金属种子层(3)；S7，在金属种子层(3)内壁电镀金属填料层(4)；S8，减薄抛光背硅层(2)，得到MEMS传感器垂

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420603 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011316880.5 (22)申请日 2020.11.20 (71)申请人中国科学院半导体研究所