存储单元及其制备方法、存储器.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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本发明公开了一种存储单元及其制备方法、存储器。其中，该存储单元包括：自旋霍尔效应层，自旋霍尔效应层包括本体与凸起部，凸起部具有凸起连接面，本体具有本体连接面，凸起连接面与本体连接面连接；磁隧道结，设置在自旋霍尔效应层，磁隧道结包括自由层，自由层设置在自旋霍尔效应层表面上且至少覆盖部分凸起连接面；电极，设置在磁隧道结远离自旋霍尔效应层表面上，其中，凸起连接面与本体连接面的自由层磁化方向不相同，在本体连接面的自由层磁化方向上形成偏置磁场。本发明解决了相关技术中存储器需要外部磁场破坏空间反演对称性，才

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397638 B (45)授权公告日 2023.04.07 (21)申请号 201910745488.3 H10N 50/10 (2023.01)