隔离电容及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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隔离电容及其制备方法.pdf

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本发明揭示了一种隔离电容及其制备方法，所述隔离电容包括衬底、位于衬底上的第一电极板和第二电极板、位于第一电极板和衬底之间的第一介质层、及位于第二电极板和第一电极板之间的第二介质层，第二电极板位于第一电极板上方，所述第二电极板包括第二主体部及自第二主体部向外延伸的第二延伸部，所述第二延伸部沿远离第一电极板的方向向外弯曲设置。本发明通过在隔离电容电极板的边缘设置弯曲的延伸部，大幅减轻了电极的边缘电场集中效应，提高了隔离电容的使用寿命；隔离电容的制备工艺与传统CMOS工艺完全兼容，只增加一道低成本光罩

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112397479 B (45)授权公告日 2022.07.22 (21)申请号 202011339496.7 H01L 49/02 (2006.01) (22)申请日 2020.11