一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺.pdf

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本发明公开了一种高耐压的陶瓷电容器芯片及其生产工艺，包括陶瓷本体和设置在陶瓷本体两侧的正负极,所述陶瓷本体包括主料和辅料，主料包括Ba2Ti9O20、BaTi4O9、BaTi3O7、BaTi5O11和BaTi6O13中的至少一种，辅料包括以下摩尔百分比的原料：Si4‑5％、Ca1.5‑2.5％、As2.5‑3.5％、K2‑3％、Mo6‑7％、In4‑5.5％，I0.5‑2％；采用上述原料制备的高耐压的陶瓷电容器芯片，能够在高温高压下正常工作，具有优异的耐高温性能，以及很高的耐高压性

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112420385 B (45)授权公告日 2022.04.29 (21)申请号 202011181570.7 H01G 13/00 (2013.01) (22)申请