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实施方式的半导体装置具有半导体部、所述半导体部的表面上的电极、和在所述表面侧的沟槽内设置的控制电极及场板电极。所述控制电极位于所述场板电极和所述电极之间。所述控制电极一体地设置于第一绝缘膜和第二绝缘膜之间，该第一绝缘膜将所述场板电极及所述控制电极与所述半导体部绝缘，该第二绝缘膜将所述控制电极与所述电极绝缘。所述第一绝缘膜包括从所述场板电极侧延伸到所述控制电极中的绝缘部，所述第二绝缘膜包括从所述电极侧延伸到所述控制电极中的绝缘部。所述控制电极包括：第一部分，位于所述半导体部和所述第二绝缘膜的所述绝
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420805 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 20201
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