阴离子诱导碳纳米片中选择性生长超小铜模板法合成氮掺杂多孔碳、方法及应用.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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阴离子诱导碳纳米片中选择性生长超小铜模板法合成氮掺杂多孔碳、方法及应用.pdf

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本发明涉及一种阴离子诱导碳纳米片中选择性生长超小铜模板法合成氮掺杂多孔碳、方法及应用，以聚4‑乙烯吡啶和二水合氯化铜为原料，Cu2+和聚4‑乙烯吡啶形成配位化合物，再经过碳化和酸洗，得到Cu‑NDPC；通过阴离子Cl‑和碳化温度调控碳化过程中产生的原位Cu纳米团簇的大小，以原位Cu纳米团簇为模板获得的Cu‑NDPC的孔径为与现有技术相比，本发明的产品具有独特的碳纳米片网络结构、超高的比表面积、超大的微孔体积、适宜的表面N掺杂和集中孔径分布；表现出超高的C2H2、C2H6、C3H8和CO2吸附容量

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112390246 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 202011258172.0 (22)申请日 2020.11.12 (71)申请人同济大学