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本发明提供一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：半导体衬底；阱区设置在半导体衬底中；栅极设置于半导体衬底上，且栅极在半导体衬底的厚度方向上与阱区的一部分重叠，以在阱区中定义沟道区；重掺杂源极区及重掺杂漏极区设置在阱区中，且位于沟道区的两侧，轻掺杂漏区设置在阱区中，且位于重掺杂源极区与沟道区之间及重掺杂漏极区与沟道区之间；栅氧化层设置在半导体衬底上，位于栅极与阱区之间，且在半导体衬底的厚度方向上栅氧化层与轻掺杂漏区至少部分重叠；隔离层设置在轻掺杂漏区与栅氧化层之间，隔离层的导电类型与轻掺杂漏
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112420843 A (43)申请公布日 2021.02.26 (21)申请号 202011300897.1 (22)申请日 2020.11.19 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司
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