具有多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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具有多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器.pdf

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本公开涉及一种具有多个1晶体管n电阻器(1TnR)结构的电阻式随机存取存储器。在一个方面中，本发明提供一种包括多个1TnR结构的电阻式随机存取存储器，所述多个1TnR结构包括第一1TnR结构，第一1TnR结构包括：第一晶体管，具有第一栅极端子、第一漏极端子及第一源极端子，第一栅极端子连接到第一字线，第一源极端子连接到源极线，其中源极线连接到所述多个1TnR结构中的每一者；以及第一个并联电阻器群组，包括第一电阻器及第二电阻器，第一电阻器与第二电阻器连接到第一漏极端子且彼此并联连接，其中第一电阻器连

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112397122 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 20201