硅光子学中的消光比改进.pdfVIP

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2023-05-29 发布于四川
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硅光子学中的消光比改进.pdf

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可以通过以下步骤来实现对硅光子学中的光信号进行消光的改进：向光电元件(PE)提供已知特性的测试信号，以通过PE的第一臂上的第一移相器和强度调制器和PE的第二臂上的第二移相器和强度调制器来对测试信号进行消光；扫过第一强度调制器处的多个电压，以识别第一电压和第二电压，第一电压与PE的输出端处的满足引发损耗阈值的消光比相关联，第二电压与PE的输出端处的测试信号中满足消光比阈值的引发损耗相关联；以及基于第一电压和第二电压将PE设置为向第一强度调制器提供操作电压。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112400284 A (43)申请公布日 2021.02.23 (21)申请号 201980043447.8 (74)专利代理机构北京东方亿思知识产权代理