等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台.pdf

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本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259457 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011136319.9 H01L 21/02 (2006.01)