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一种紫外LED的外延生长方法.pdfVIP

一种紫外LED的外延生长方法.pdf

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    本申请公开了一种紫外LED的外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长不掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱发光层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱发光层依次包括所述；所述生长多量子阱发光层依次包括：生长AlGaN层、生长GaN层、生长InGaN阱层、Mg渐变掺杂AlGaN层以及生长GaN垒层的步骤。本发明方法解决现有LED外延生长中存在的LED发光效率较低的问题，以满足紫外LED的应用需要，同时降低工作电压，减

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259648 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011135542.1 C23C 16/44 (2006.01)

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