一种高纯氧化硅陶瓷的烧结工艺.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种高纯氧化硅陶瓷的烧结工艺.pdf

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本发明提供一种高纯氧化硅烧结工艺，其包括球磨、喷雾造粒、压制成型以及等热静压烧结而成，其中热静压烧结工艺是将压制成型的氧化铝陶瓷预制件置于不锈钢容器中，并在惰性气氛中，温度为200‑300℃条件下等热静压处理10‑30mins，制得所述高纯氧化硅。本申请的高纯氧化硅陶瓷的烧结工艺采用等热静压烧结工艺处理高纯氧化硅陶瓷，有效地在高温下施加等静压力，能在较低的烧成温度(仅为熔点的50％～60％)下，且在较短的时间内得到各相完全同性、各项性能均有显著的提高的高纯氧化硅陶瓷，是一种节能绿色环保的烧结工艺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112250427 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011132993.X (22)申请日 2020.10.21 (71)申请人苏州晶瓷超硬材料有限公司