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本专利申请公开了一种晶圆的测试结构,该晶圆包括至少一个半导体器件,半导体器件具有套刻的第一结构与第二结构;该测试结构包括:第一导电部;以及第二导电部,与第一导电部构成第一电容;其中,沿第一方向,随着第一结构与第二结构之间相对位置的偏差增大,第一导电部在第二导电部上的正投影面积递增或递减,使第一电容的电容量随之变化;第一方向垂直于晶圆的厚度方向。本申请提供的测试结构,以两个导电部之间构成的电容的电容量变化,体现半导体器件两个套刻结构之间相对位置的偏差,这样在完成器件制程后可通过电容量确定半导体器件
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259527 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011131476.0 (22)申请日 2020.10.21 (71)申请人 北京
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