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改善电极板接触应力的MIM电容.pdfVIP

改善电极板接触应力的MIM电容.pdf

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    本申请涉及半导体集成电路制造领域，具体涉及一种改善电极板接触应力的MIM电容。所述改善电极板接触应力的MIM电容形成于介质阻挡层上，包括：第一TaN导电层，所述第一TaN导电层位于所述介质阻挡层上，形成所述MIM电容的下极板；第二TaN导电层，所述第二TaN导电层位于所述第一TaN导电层上，形成所述MIM电容的上极板；介质层，所述介质层位于所述第一TaN导电层和所述第二TaN导电层之间；应力缓冲层，所述应力缓冲层包括相对的上表面和下表面，所述上表面与所述第一TaN导电层接触，所述下表面与所述介质

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112259521 B (45)授权公告日 2022.08.16 (21)申请号 202011121177.9 (56)对比文件

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