一种三维存储器件及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.01万字
约 29页
2023-05-26 发布于四川
举报
版权申诉

一种三维存储器件及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种三维存储器件及其制造方法，先形成贯穿堆栈的存储沟道孔，及沿平行于所述衬底的第一横向排列的虚拟沟道孔，再在所述堆栈中沿所述第一横向形成顶部选择栅切槽，所述顶部选择栅切槽与所述虚拟沟道孔连通，且所述顶部选择栅切槽的底表面在平行于所述衬底且垂直于所述第一横向的第二横向上的宽度，大于所述虚拟沟道孔的顶表面直径，最后再填充绝缘层可以形成顶部选择栅切线，这样可以避免顶部选择栅切线对沟道孔刻蚀的影响，可以提升沟道孔的均一性，进而可以避免字线漏电。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259543 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011092907.7 (22)申请日 2020.10.13 (71)申请人长江存储科技有限责任公司