双大马士革工艺方法.pdfVIP

下载本文档

9
0
约9.55千字
约 13页
2023-05-26 发布于四川
举报
版权申诉

双大马士革工艺方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种双大马士革工艺方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上依次形成第一层间膜、沟槽刻蚀停止层和第二层间膜，进行选择性刻蚀形成通孔的开口；步骤二、沉积光阻塞保护层将通孔的开口完全填充并延伸到通孔的开口外的第二层间膜全部表面上；步骤三、形成第一光刻胶图形将沟槽形成区域打开；步骤四、以第一光刻胶图形为掩膜对光阻塞保护层进行回刻；步骤五、以所述第一光刻胶图形为掩膜以及以沟槽刻蚀停止层为停止层对第二层间膜进行刻蚀形成沟槽；步骤六、去除第一光刻胶图形和光阻塞保护层。本发明能简化工艺流程，节省工艺成

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259503 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011154164.1 (22)申请日 2020.10.26 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司