基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法.pdf

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一种基于薄膜晶体管的压力传感器及其制备方法，该基于薄膜晶体管的压力传感器包括薄膜晶体管；底电极，设置在薄膜晶体管背板凹槽上；种子层，设置在底电极上；氧化锌纳米线层，设置在种子层上；支撑层，设置在氧化锌纳米线层上；以及顶电极，设置在支撑层上。本发明实现了基于a‑IGZO‑TFT(非晶态的铟镓锌氧化物薄膜晶体管)和ZnONWs(氧化锌纳米线)的压力传感器实现的制作，其工艺比较简单，可以推广到制作多种薄膜晶体管与ZnONWs的压力传感器。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112271247 A (43)申请公布日 2021.01.26 (21)申请号 202011159656.X G01L 1/00 (2006.01)