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本发明提供一种用于失效分析的测试结构，包括测试单元结构且依次堆叠的第N至第N+m个半导体结构层；第N个半导体结构层的引线端部设有通孔接触点；第N+1至第N+m个半导体结构层的引线端部设有金属块，第N个半导体结构层的通孔接触点通过通孔与第N+1个半导体结构层的金属块接触；第N+1至第N+(m‑1)个半导体结构层的引线端部的金属块分别通过各自上方层间介质层中的通孔连接至各自上方相邻的半导体结构层的金属块。本发明在现有的测试结构基础上，兼顾失效分析的需求，通过在引线上添加通孔及方块金属将每个测试单元结
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112269045 A (43)申请公布日 2021.01.26 (21)申请号 202011083823.7 (22)申请日 2020.10.12 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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