一种超辐射发光二极管及其制作方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种超辐射发光二极管及其制作方法.pdf

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本发明公开了一种超辐射发光二极管及其制作方法，该方法包括以下步骤：在衬底上依次外延生长出下光限制层、第一MQW多量子阱层以及上光限制层；通过刻蚀去掉其中一部分第一MQW多量子阱层，然后在该区域对接生长第二MQW多量子阱层；两多量子阱层的能带间隙不同；然后制作出异质结掩埋结构；最后在有源区两侧的异质结掩埋结构中各刻蚀出一道沟槽，并在沟槽内均设置一定厚度的金属层，为有源区引入额外应变。本发明通过采用对接生长的方法，生长两种能带间隙不同的MQW多量子阱作为有源层，可以很好的控制外延生长的质量，通过在有

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112259649 B (45)授权公告日 2021.08.24 (21)申请号 202011223544.6 H01L 33/02 (2010.01)