一种高速开关结构及制备方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种高速开关结构及制备方法.pdf

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本发明公开了一种高速开关结构及制备方法，该高速开关包括：P型衬底、浅槽隔离及深槽环，通过在MOS开关管的隔离PN结侧壁形成深槽环，并填充低介电常数介质的方法，取代现有技术中隔离PN结的侧壁电容，消除了隔离阱的PN结侧壁电容，同时，对隔离阱偏置高电位，进一步降低了隔离阱与衬底以及隔离阱与MOS开关管体区的PN结底面电容，从而降低MOS开关器件的信号通道与地之间的寄生电容，实现的高速信号带宽性能的改善。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259601 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011279267.0 (22)申请日 2020.11.16 (71)申请人江苏帝奥微电子股份有限公司