一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构.pdf

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本发明所述的一种非厄米调制下二维光子晶体的拓扑态结构，包括由多层晶胞排列组成的拓扑非平庸层、缺陷层和拓扑平庸层，依次按照拓扑非平庸层、缺陷层、拓扑平庸层、缺陷层、拓扑非平庸层的顺序排列构成。本发明所述的有益效果为：设计具有PT对称构型的二维光子晶体，通过增益系数的改变，实现拓扑相变；构建了由拓扑非平庸结构和拓扑平庸结构形成的边界态，该边界态具有拓扑相和非厄米调制的双重特征；通过源位置的选择，可以让拓扑相调制和非厄米调制分别发挥作用，两者均可以激发单向传输。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112285822 B (45)授权公告日 2022.06.17 (21)申请号 202011144991.2 G02B 27/00 (2006.01) (22)申请日 2020.10