一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法.pdf

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本发明公开了一种EEPROM存储器编程精度校正电路及方法，包括：单多晶EEPROM子电路、复位子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵；复位子电路用于检测EEPROM存储器是否处于芯片测试模式下；在测试模式下时，复位子电路复位信号有效；复位子电路产生复位信号至单多晶EEPROM子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵，单多晶EEPROM子电路、操作指令控制子电路、信号输入子电路及电荷泵进入初始化状态，不作动作；没有复位信号到来，则在测试使能信号为高电平时，通过给操作指令控制子

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112259150 A (43)申请公布日 2021.01.22 (21)申请号 202011125677.X (22)申请日 2020.10.20 (71)申请人深圳市泰祺科技有限公司