NORD闪存的制作方法.pdfVIP

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2023-05-26 发布于四川
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NORD闪存的制作方法.pdf

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本申请公开了一种NORD闪存的制作方法，涉及半导体制造领域。该NORD闪存的制作方法包括提供一衬底，衬底上存储单元区域形成有浮栅层、ONO层、控制栅层、字线，控制栅层的上方形成有字线侧墙，字线侧墙的外侧形成有氮化硅层；形成多晶硅层，多晶硅层用于形成外围电路区域的栅极；去除存储单元区域的多晶硅层；去除存储单元区域中源漏区对应的控制栅层、ONO层、浮栅层，形成NORD闪存的控制栅和浮栅；形成硬掩膜层；通过光刻工艺定义外围电路区域的栅极图案；刻蚀硬掩膜层和多晶硅层，形成外围电路区域的栅极；解决了传统闪

(19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112259541 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202011095984.8 H01L 27/11551 (2017.01)