一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法.pdf

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一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。涉及一种芯片背面减薄后的去应力清洗工艺，尤其涉及一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。提供了一种提高背面金属与Si之间的结合力的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。本发明主要改进了硅腐蚀液的配方，常温下，硅单质在纯HF中的腐蚀速率很小，可忽略为不反应，但是如果加入HNO3,腐蚀速率会大大增加，其中HNO3作为氧化剂氧化了单质Si。利用硝酸的强氧化性，先将Si氧化为SiO2，再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供H+来源，使腐蚀速率能够保

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233967 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011102682.9 (22)申请日 2020.10.15 (71)申请人扬州扬杰电子科技股份有限公司