一种外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法及应用.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法及应用.pdf

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本发明公开了一种外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法及应用。本发明提供的外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料的制备方法简单，后处理容易，成本低，制备得到的正极材料的颗粒尺寸分布均匀，其0.1C首圈放电比容量为304.69mAhg‑1，5C的放电比容量为129.43mAhg‑1，1C循环200圈的容量保持率为93.31％，不仅首圈放电比容量、倍率性能和循环性能均有显著的提升，而且有效的缓解了电压的衰减；因此，本发明制备得到的外延生长层和硫钠晶格改性富锂锰基正极材料在制备锂离子

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242510 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 202011044506.4 H01M 10/0525 (2010.01) (22)申请日