具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法.pdf

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本发明实施例涉及具有减少陷阱缺陷的半导体装置及其形成方法。一种制造半导体装置的方法包含：提供包括表面的衬底；将第一介电层及第二介电层沉积于所述衬底上；使虚拟栅极电极形成于所述第二介电层上；形成包围所述虚拟栅极电极的栅极间隔物；使轻度掺杂源极/漏极LDD区域形成于所述衬底中的所述栅极间隔物的两侧上；使源极/漏极区域形成于所述各自LDD区域中；移除所述虚拟栅极电极以形成替换栅极；使层间介电ILD层形成于所述替换栅极及所述源极/漏极区域上；及通过在形成所述源极/漏极区域之前或在形成所述ILD层之后的时

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112242353 A (43)申请公布日 2021.01.19 (21)申请号 20201