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本发明提供一种芯片研磨方法,包括以下步骤:提供待研磨基片,所述研磨基片包括:介质层;位于所述介质层中的连接槽和附加槽;位于所述连接槽和所述附加槽内部、以及所述介质层顶部表面的导电材料层;采用第一研磨工艺研磨去除高于所述介质层顶部表面的所述导电材料层;采用第二研磨工艺研磨位于所述附加槽侧部的介质层,使得附加槽区域的导电材料层凸出于所述介质层;采用第三研磨工艺去除附加槽区域的导电材料层。所述芯片研磨方法能降低连接槽内的导电材料层的损耗程度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 112247825 B (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202010924347.0 H01L 21/321 (2006.01) (22)申请日
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