一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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本发明公开了一种基于场发射电子的太赫兹激光二极管，包括彼此平行面对的阳极板和阴极板，设置于阳极板和阴极板之间的介质层环；介质层环的外侧面与阳极板的侧面对齐，介质层环的外侧面与阴极板的侧面对齐，介质层环的其中一个表面与阳极板上与阴极板相对的那一面接触，介质层环的另一个表面与阴极板上与阳极板相对的那一面接触，阳极板、阴极板和介质层环共同形成一个密封腔，阴极板为场发射阵列或者阴极板为平板且平板上与阳极板相对的那一面涂覆有场发射材料，阴极板的宽度大于阳极板与阴极板之间间距的20倍以上。通过调节二极管的偏

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233953 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011096363.1 (22)申请日 2020.10.14 (71)申请人南京航空航天大学地址