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本发明提供一种防止湿法刻蚀中侧面侵蚀的方法及沟槽栅的形成方法，该方法在形成图形化的光刻胶步骤之前，执行第一SC1清洗液清洗工艺，所述第一SC1清洗液包括氨水、双氧水和水，所述第二氧化层表面被氨水腐蚀，形成比较粗糙的表面，增大了接触的表面积，露出更多的Si‑O键，从而形成更多的羟基，从而大大增强光刻胶与二氧化硅表面的粘附性。通过改变衬底上所述第二氧化层表面的疏水性，在增加光刻胶与衬底表面的粘附性的同时，在湿法刻蚀过程中，由于光刻胶覆盖处的疏水性增强而对亲水性的氢氟酸溶液有排斥作用，延缓氢氟酸溶液向
(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233974 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011158918.0 (22)申请日 2020.10.26 (71)申请人 广州粤芯半导体技术有限公司
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