一种氮化镓基外延结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-25 发布于四川
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一种氮化镓基外延结构及其制备方法.pdf

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本发明提供一种氮化镓基外延结构的制备方法，包括：提供一衬底，并对所述衬底进行预处理，在所述衬底上生长氮化铝缓冲层；在所述氮化铝缓冲层上生长AlxGa1‑xN缓冲层；在所述AlxGa1‑xN缓冲层上生长氮化镓耐压层；在所述氮化镓耐压层上生长氮化镓沟道层；在所述氮化镓沟道层上铟辅助生长AlyGa1‑yN插入层；在所述AlyGa1‑yN插入层上铟辅助生长AlzGa1‑zN势垒层；及在所述AlzGa1‑zN势垒层上生长氮化镓盖帽层。利用上述制备方法制备的氮化镓基外延结构的电子迁移率得到大幅度的提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233972 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011492793.5 H01L 29/207 (2006.01)